§5-1 放大的基本概念 :
1.
增益 = 電壓增益 = 電流增益 =
功率增益 =
分貝(dB) =
1.( ) 今有一放大器，其功率增益為30，若輸入電壓為5V，輸出電壓為15V，則其電流增益為 (A) 3 (B) 5 (C) 10 (D) 15
2.( ) 某一放大器其輸出電壓為15V，電壓增益為5，則其輸入電壓為 (A) 3V (B) 5V (C) 7.5V (D) 10V
2. 訊號失真 :
波幅失真(諧波失真) =
原因 :
頻率失真 =
原因 :
相位失真 =
原因 :
§5-2晶體放大器分析
晶体電路( BJT , FET )的主要功能是用於信號放大:
要誏電晶體(BJT)電路具有此功能，必須誏電晶体處於
要誏場效電晶體(FET)電路具有此功能，必須誏(FET)處於
為了誏放大器做不失真的線性放大，必需選擇適當工作點，因此放大器的電路設計或分析可分為二部分
1. 直流偏壓電路分析 : 確定電晶體處於區，定出工作點
2. 交流信號分析 : 瞭解電路之增益、輸入阻抗、輸出阻抗等
A : 電晶體放大器的直流分析
依交流訊號之輸入與輸出位置，可將電晶体放大電路分為
、 、 ，但其分析計算方式完全一樣，步驟為三
1.假設電晶体處於順向工作區 : VBE = 0.7 或忽略為 0
Ic = β IB
2.利用KVL定律 (內外各一圈 ) 及KCL定律結合求出: VB、VC、VE 、IB、 Ic
3. 小心驗証確定順向工作區之要求 : 射基 、集基
1. 固定偏壓法 :
分析 : (1)電晶體溫度增高 → Ic →電晶體溫度 最後
(2)電晶體溫度增高 →VBE →Ic →電晶體溫度 →VBE →Ic 電晶體溫度 最後
射極回授偏壓法 :
分析 :
(1)電晶體溫度增高 → Ic →VE →VB → IB →Ic →電晶體溫度
(2)電晶體溫度增高 → VBE →IB →Ic →VE →VB → IB →Ic →電晶體溫度
分壓式偏壓法 :
1.如右圖所示電路，IB =20mA，求RB之值約為？ (A) 500kW (B) 465kW (C) 245kW (D) 100kW
如右圖所示集極回授偏壓電路、矽電晶體、b =50，則VCE約為 (A) 3.2V (B) 4.78V (C) 5.35V (D) 6.5V
參考右圖，RB應為多少才能滿足Q點之條件？ (A) 430kW (B) 43kW (C) 500kW (D) 50kW
及
如右圖矽製電晶體的b =200，順偏時VBE =0.7V，求集極對地的電壓VC ≒？ (A) 9.3V (B) 8V (C) 7V (D) 6V (E) 5V E)5V。
如右圖中，若電晶體之VBE =0.7伏特時，則電晶體對地電壓VC約為 (A) 8.42伏特 (B) 12.28伏特 (C) 7.72伏特 (D) 11.58伏特
如右圖所示的IC與VC？ (A) IC =2.4mA，VC =15.42V (B) IC =9mA，VC =0.2V (C) IC =0mA，VC =20V (D) IC =3.76mA，VC =－9.6V
將圖a 所示電路轉成圖b所示的電路，其VB及RB值應為 (A) 4V、30kW (B) 4V、20kW (C) 11.3V、3kW (D) 8.7V、30kW
如右圖所示分壓式偏壓電路、矽電晶體、b =100，由基極看入的戴維寧等效電壓VBB，及戴維寧等效電阻RBB，其值分別為 (A) VBB =2.4V，RBB=9kW (B) VBB =2V，RBB =10kW (C) VBB =9.6V，RBB =6.6kW (D) VBB =2.4V，RBB =8kW
對於右圖的固定偏壓電路，b =50，IB =48mA，則電流IC為？ (A) 1.4mA (B) 2.4mA (C) 3.4mA (D) 4.4mA
承上題，電壓VCE等於？ (A) 9.86V (B) 7.96V (C) 6.96V (D) 5.96V
（四）電晶体的工作點與負載線
1.電晶体的工作點
電晶體在無信號輸入時，由偏壓所提供之穩定直流工作電流與電壓，在特性曲線上對應點稱為工作點
工作點求法 :
2.電晶体的負載線
當基極電壓改變時，則Ic、VCE及等值隨之改變，因此電晶體的直流工作點會沿著一條斜線移動，此斜線稱直流負載線
直流負載線求法 :
圖所示，射極接地特性曲線中之負載線，其負載電阻為？ (A) 0.1kW (B) 1kW (C) 4kW (D) 10kW
在右圖所示之特性曲線，以Q點為工作點，在不失真要求下，問基極最大容許輸入電流IB為 (A) IB =±0.25mA (B) IB =±0.20mA (C) IB =±0.15mA (D) IB =±0.10mA
(三) 電晶体的直流補償方式
B : 場效電晶體放大器的直流分析
依交流訊號之輸入與輸出位置，可將場效電晶體放大電路分為
、 、 ，但其分析計算方式完全一樣
(FET)的電壓電流方程式
（一） 歐姆區（三極体區）電壓、電流方程式
條件 :
( 1 ) 極、 極皆未夾止
( 2 ) VDS < -Vp + VGS VDS很小時
ID = f (VDS VGS )
ID =
（二） 飽和區（夾止區）電壓、電流方程式
條件 :
( 1 ) 極夾止、 極未夾止
( 2 ) VDS >= -Vp + VGS
ID = f ( VGS )
ID =
(1) 有一 P-channel JFET 在Vp = 5V、IDSS = 10mA、VGS = 1,5V時IDS = ?
§4-6場效電晶體的偏壓電路
.
.
.
.
§5-2電晶體的基本放大電路分析 :
(一)電路之虛擬模型 (參數等效電路)
1, Z參數等效電路 : 輸入與輸出皆預定為載維寧等效即
2. Y參數等效電路 : 輸入與輸出皆預定為諾頓等效即
3. h參數等效電路 : 輸入預定為載維寧等效即 與輸出預定為諾頓等效即
如右圖所示為h參數等效電路，下列敘述何者為不真？ (A) hr = (B) hr = (C) ho = (D) hi =
如右圖所示，該雙埠電路之h11為 (A) 2 (B) 2 (C) 3 (D) 4 (E) 以上皆非E)以上皆非。（所列答案單位均為W）
如右圖之電路，其h11= (A) 6k (B) 9k (C) 6k//3k (D) 3k (E) 以上皆非E)以上皆非。
如右圖所示的雙埠網路中，h11與h22參數分別為多少？ (A) h11=1.5W，h22=1.5 (B) h11=1.67W，h22=1.33 (C) h11=1.5W，h22=0.67 (D) h11=3W，h22=1.5
(二)電晶体CE,CB,CC三种組態之模型
（二）共射放大電路
分柝 : 偏壓電源拿掉( )、電容短路
(三）共集放大電路
(四）共基放大電路
83.( C ) 如右圖中，求A¢I ==？
(A) －34 (B) －30 (C) －44.5 (D) －54 (E) －60 E)－60。
84.( B ) 承上題中，求R=？ (A) 0.8k (B) 1.05kW (C) 1.2kW (D) 0.9kW (E) 1.3kW E)1.3kW。
85.( C ) 承上題中，求Ri =？ (A) 0.7k (B) 1.2kW (C) 0.943kW (D) 0.5kW (E) 0.8kW E)0.8kW。
86.( A ) 承上題中，求AV ==？ (A) －212 (B) －180 (C) －240 (D) －150 (E) －120 E)－120。
87.( A ) 承上題中，求AVS ==？ (A) －18.2 (B) －25 (C) －30 (D) －42 (E) －212 E)－212。
88.( C ) 試求右圖一電路之rb為何？ (A) 125W (B) 225W (C) 325W (D) 525W 〔註：求rb =hie =？〕
89.( B ) 續上題，Zi為何？ (A) 225W (B) 325W (C) 150kW (D) 4kW
90.( B ) 續上題，AV為何？ (A) －515 (B) －615 (C) －400 (D) －12.3
91.( D ) 如右圖所示，若電晶體為矽質（
即VBE =0.7V），b 值為100，RE =1kW、RC =2kW、VCC =15V，則欲使電路工作於VCE =9V，RB應為多少？ (A) 330 (B) 520 (C) 615 (D) 714 kW
92.( A ) 承上題，此電路為何種組態的放大電路？ (A) 共射極(CE)放大電路 (B) 共基極(CB)放大電路 (C) 共集極(CC)放大電路 (D) 以上皆非
93.( C ) 如右圖所示，電路的輸入阻抗Zin為 (A) 790 (B) 420 (C) 1300 (D) 511 W
94.( B ) 承上題，電路的輸出阻抗Zout為 (A) 1.3 (B) 2 (C) 3.5 (D) 1 kW
95.( C ) 某一電晶體放大電路，設ZL=2.5´103W，hi =3.2´103W，hr =1.3´10－4，hf =100，ho =7.6´10－6W，則輸入阻抗Zi為 (A) 1.13´103 (B) 2.14´103 (C) 3.17´103 (D) 4.45´103 歐姆
96.( D ) 如右圖， hfe =50，hie =1k，hre =hoe =0，求Av值為 (A) 50 (B) －50 (C) 200 (D) －200
97.( B ) 續上題功率增益Ap值為 (A) 1k (B) 10k (C) 100k (D) 50k
98.( B ) 下列何者為共射極放大電路的電流增益大小？ (A) a (B) b (C) (D)
99.( B ) 下列有關共射極放大電路的輸出電壓相位，何者敘述正確？ (A) 與輸入電壓同相 (B) 與輸入電壓反相 (C) 視輸入電壓的頻率而定 (D) 視輸入電壓大小而定
100.( D ) 如右圖所示電晶體放大電路，以共射極h參數hie =1100W，hre =2.5´10－4，hoe =25´10－6 ，hfe =50，則Av =為
(A) 50 (B) －50 (C) 46 (D) －46
(三)FETCD,CG,CS三种組態之模型
1.( ) 右圖為一共閘極電路，下列敘述何者正確？ (A) AV = (B) R i = (C) Ro =(1+m)RS (D) Ro =
7.( ) 如圖所示，已知金氧半電晶體的互導為gm=1m，汲極（Drain）電阻rd =20kW，則其電壓增益為？ (A) －2 (B) －20 (C) －200 (D) 2000
8.( ) 如圖所示，若gm =3mA/V，rd =20kW，RS =20kW，則電壓增益Av = (A) 1 (B) gm rd=60 (C) gmRS=60 (D) gm(RD+RS)=30
11.( ) 如圖之電路，m =30，rd =50kW，若輸入Vi加於閘極與地之間，則其放大倍數= (A) －16.8 (B) －17.5 (C) －18.7 (D) －20.3
12.( ) 右圖之電路，gm =2mA/V，rd =10k若忽略電容之效應，則其電壓增益約為 (A) －14.3 (B) －15.8 (C) －18.9 (D) －20
18.( ) 如圖所示電路，若gm =4mA/V，RS =2kW，則Av值為 (A) 0.67 (B) 0.78 (C) 0.89 (D) 0.98
19.( ) 如圖之電路，其參數值gm =2mA/V，rd =40k，若RD =20k，則電壓增益Av為 (A) －57 (B) －38 (C) －26.6 (D) －20.5
20.( ) 同上題，其電壓增益為
(A) (B) (C) (D)
21.( ) 同上題，若輸出改由源極對地輸出，則其輸出阻抗（不包含RS）為 (A) (B) (C) (D) (m+1)(rd +RD)
22.( ) 同上題，其電壓增益為 (A) －
(B) － (C) －
(D) －
23.( ) 如右圖之電路，其輸出阻抗（不包含RD）為 (A) rd +m RS (B) rd +RS (C) (D) rd +(m+1)RS
